机译:直拉晶体生长过程中增强的氧气沉淀
机译:中子辐照氮掺杂直拉硅晶体中增强的氧沉淀
机译:退火过程中氧气沉淀对直拉硅晶体生长条件下寿命退化的影响
机译:增强Czochralski晶体生长期间的氧沉淀
机译:切克劳斯基硅中氧沉淀的模型。
机译:通过创新的抗溶解沉淀过程提高紫杉醇晶体粉末的水溶解度和口服生物利用度:使用离子液体作为溶剂的抗溶剂结晶
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响
机译:碳氧复合物作为Czochralski硅中氧沉淀的核。