State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, P. R. China;
Ge doping; thermal donors; rapid thermal annealing, czochralski silicon;
机译:快速热退火预处理的掺锗切克劳斯基硅中热供体的形成增强
机译:掺锗的切克劳斯基硅的内部吸杂:通过基于快速热退火的处理仿真处理
机译:基于快速热退火的内部吸杂锗掺杂的直拉硅
机译:通过快速热退火,增强锗掺杂Czochralski硅的热吹塑器的形成
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究
机译:通过快速热退火预处理的锗掺杂Czochralski硅中热供体的增强形成