Lab. TECSEN-UMR CNRS 6122, Universite Paul Cezanne, Faculte des Sciences, 13397 Marseille -France;
Institute for Chemical Problems of Microelectronics, 119017 Moscow, Russia;
Lebedev Physics Institute, RAS, 119991 Moscow, Russia;
SiGe/Si heterostructures; misfit dislocations; stress relaxation; X-ray topography;
机译:X射线形貌研究在低温缓冲层SiGe / Si异质结构中的第一个弛豫步骤
机译:具有低温缓冲层的SiGe / Si异质结构中的热诱导应变松弛
机译:使用低温生长步骤对薄SiGe层(≤100nm)中的应变弛豫进行X射线倒易空间映射研究
机译:在低温缓冲层SiGe / Si异质结构中的第一个弛豫步骤X射线地形研究
机译:使用各种缓冲层在硅(111)晶圆上生长和表征氮化铝镓/氮化镓异质结构。
机译:具有稳健的Zn-O薄膜晶体管双层异质结构设计和低温制造工艺使用真空和溶液沉积层
机译:在X射线拓扑图研究的低温缓冲层siGe / si异质结构中的第一个弛豫步骤