Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (DLR), D-12489 Berlin, Germany;
Institute for Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany;
Royal Institute of Technology (KTH), 16640 Kista, Sweden;
Institute for Physics of Microstructures, Russian Acade;
silicon-germanium; terahertz emission;
机译:SiGe和SiGe / Si半导体中的磷光体中心的太赫兹发射
机译:SiGe-HBT半导体器件的物理特性修改,以提高太赫兹检测系统的性能
机译:单轴应力块状硅和SiGe / Si异质结构中施主光激发下的太赫兹范围自发发射
机译:SiGe和SiGe / Si半导体中磷光体中心的太赫兹排放
机译:Si / SiGe太赫兹二极管的分析和设计。
机译:SiGe / SOI外延半导体中的正电子An灭表征缺陷
机译:siGe和siGe / si半导体中磷光体中心的太赫兹发射