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【24h】

1.5 μm Room-Temperature Electrically Pumped Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Exact (001) Si

机译:在精确(001)Si上整体生长的1.5μm室温电泵浦量子点激光器

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摘要

We demonstrate the first 1.5 μm electrically-injected InAs/InAlGaAs quantum dot lasers epitaxially grown on (001) silicon. Room temperature pulsed operation was achieved with a threshold density of 1.8 kA/cm
机译:我们演示了外延生长在(001)硅上的第一批1.5μm电注入InAs / InAlGaAs量子点激光器。室温脉冲操作的阈值密度为1.8 kA / cm

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