Dept. of Information Display Kyung Hee University Seoul-02447 South Korea;
Thin film transistors; Substrates; Resistance; Performance evaluation; Strain; Optical device fabrication;
机译:高度可扩展且强大的MESA-ISLAND-结构金属氧化物薄膜晶体管和通过应力扩散操作的集成电路实现
机译:通过器件层的网格和带状图案在聚酰亚胺衬底上的高耐用性可弯曲氧化物薄膜晶体管
机译:大量堆积的高强度柔性氧化物薄膜晶体管
机译:高稳健的氧化物薄膜晶体管,可拉伸电子器件
机译:固溶处理后过渡金属氧化物半导体电子产品:高性能薄膜晶体管和/或低温处理薄膜
机译:高度健壮的中性面氧化物TFT可承受0.25 mm的弯曲半径
机译:聚酰亚胺膜厚度改善在波状尺寸弹性体基材上伸展的Ingazno薄膜晶体管机械稳健性的影响