IGDTUW ECE Dept Kashmere Gate Delhi India;
Operational amplifiers; Photonic band gap; Temperature distribution; Layout; Integrated circuit modeling; Temperature measurement;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:专为高能物理应用设计的带隙基准电路的特性
机译:用于HL-LHC应用的65nm CMOS技术中的带隙基准电路设计
机译:带隙参考电路设计,用于上电复位相关电路
机译:带隙电压参考电路部分耗尽的硅 - 绝缘体CMOS技术
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:增强spICE模型参数以精确设计和模拟具有温度依赖性的电路,特别强调带隙参考