sp3 Diamond Technologies Santa Clara CA;
SOD; GaN; thermal management; diamond;
机译:直径为6英寸的Si衬底金属-有机气相外延系统上的高生长速率AlGaN缓冲层和用于AlGaN / GaN HEMT的低碳GaN的大气压生长
机译:在具有高击穿电压的自由站立GaN衬底上,直径为3 mm的大型GaN p-n结二极管
机译:GaN和A1N成核层在金刚石衬底上定向生长GaN的比较
机译:钻石基材大直径GaN的进展
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:低温扫描近场光学显微镜确定GaN纳米棒本征载流子扩散长度的临界直径
机译:金刚石基材上GaN高电子迁移晶体管的建模