Center for Solid State Science, Arizona State University, Tempe, AZ 85287, USA;
机译:一种测量应变合金量子点成分变化的建模和卷积方法
机译:GaAs(001)上InAs量子点的组成:(In,Ga)As合金化的直接证据
机译:异位退火对四元合金(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结构的影响,随着生长速率,势垒厚度和种子量子点单层覆盖率的变化,优化了光电和结构性能
机译:直接测量应变合金量子点的组成变化
机译:胶体半导体量子点的合成:梯度合金核和可调表面组成。
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构