Hestia Power Incorporation (HPI) Hsinchu Taiwan;
MOSFET; cut-in voltage; diode; silicon carbide;
机译:用于设计具有低导通电阻和鲁棒性的3300-V级4H-SiC注入-外延MOSFET的新型边缘终端和电流扩散层的改进仿真模型
机译:带有硼注入边缘端接的高压4H-SiC肖特基整流器具有出色的反向阻断特性
机译:带硼注入保护性p-n结的高压(900 V)4H-SiC肖特基二极管
机译:1700V / 30A 4H-SIC MOSFET具有低切割电压嵌入式二极管和室温硼植入终止
机译:用于集成电路设计的4H-SiC低压MOSFET的建模和验证。
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
机译:硼掺杂栅极氧化物的高压4H-SiC功率MOSFET