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複合エッチング加ェ技術を用いた基板表面への微小3次元構造ァレイの作製

机译:利用复合刻蚀技术在基板表面制作三维三维阵列

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摘要

近年,凸形状の微小3次元構造の配列(アレイ)を基材 表面に作製することで,その表面の濡れ性(1)ゃ抗付着性(2) などの物理化学的な特性•機能を制御できることが報告さ れている.そのような微小3次元構造の作製手法のひとつ に,除去加工であるエッチングが挙げられる.著者らはこ れまでに,アルカリ含有溶液を用いた単結晶シリコン (single crystal silicon; SCS)の結晶異方性ゥェットエッチ ングにより,マイクロビラミツド形状の表面微小構造ァレ ィの作製を行ってきた(3).この結晶異方性ゥヱットエツチン グでは,結晶性基板をエッチング液に浸漬するだけで,そ の基板の結晶方位•保護マスクパターン等に依存した形状 の微小3次元構造アレイを,基板表面に再現性良く作製可 能である(4).一方で,異方性ドライエッチングでは,基板の 表面に対してイオン等を垂直に入射させることで,ゥヱッ トエッチングと比べて側面の垂直性の高い3次元構造の作rn製が可能である.
机译:近年来,通过在基板表面上形成凸的三维微观结构的阵列,控制物理化学性质和功能,例如表面的可湿性(1)和抗粘着性(2)据报道,这是可能的,产生这种微小的三维结构的方法之一是蚀刻,这是一种去除工艺,到目前为止,作者已经开发出单晶硅(使用含碱溶液的单晶硅)。我们通过对晶体硅进行各向异性各向异性湿法刻蚀(SCS)[3],制成了微玻璃化形状的表面微结构阵列,在这种各向异性晶体腐蚀中,对晶体衬底进行了腐蚀。只需将其浸入液体中[4],就可以在基板表面上可复制地形成微小的三维结构阵列,其形状取决于基板的晶体取向,保护性掩模图案等。在反应干法蚀刻中,通过向基板表面垂直注入离子等,可以形成比湿法蚀刻具有更多垂直侧面的三维结构。

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