導電性酸化膜と金属膜を下部電極に併用したPZT薄膜の結晶成長

摘要

PZT薄膜を用いたデバイスでは，Pt/Ti多層膜が下部電極rnとして一般的に用いられている。とりわけ金属有機化合物rn分解(CSD)法を用いたPZT 成膜は，条件の最適化により高rn品位な膜が常圧下で得られることから，低コスト化が望めrnる手法である。一方，CSD 法は基板の表面状態が結晶成長rnに強く影響を与えることが知られており(1)，Tiの相互拡散(2-rn3)に代表されるように，下部電極の層構成はPZT の結晶成rn長に影響を及ぼす。