ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－シリサイド半導体(BaSi_2)を用いたSi系薄膜結晶太陽電池を目指して

摘要

シリサイド半導体の1つであるバリウムシリサイド(BaSi_2)は，資源の豊富なSiとBaからなり．Baサイトの半数をSrで置換することで，その禁制帯幅を太陽電池に相応しい1.4eVに制御できる．また，光吸収係数が非常に大きく，1.5eVの光子に対し10~5cm~(-1)に達する．この値は，カルコパイライトに匹敵する．さらに，Si(111)面にエピタキシャル成長が可能である．筆者は，これらの特徴を生かしたSi系の薄膜結晶太陽電池を目指して研究している．本稿では，分子線エピタキシー法により，Si(111)基板上およびSiO_2基板上に形成したBaSi_2膜について，分光感度特性を中心に，研究の進捗状況を紹介する．