School of Information Engineering Southwest University of Science and Technology Mianyang 621010 China;
MOSFET circuits; Semiconductor device modeling; MOSFET; Noise measurement; Thermal noise; Substrates; Radio frequency;
机译:高κ和SiO_2界面层厚度对激进规模的金属栅极/ HfO_2 n-MOSFET中低频(1 / f)噪声的影响:高κ声子的作用
机译:高k $ nFET的沟道和栅极感应的漏漏电流中的低频噪声比较
机译:氧化铟锌薄膜晶体管中随温度变化的漏极电流特性和低频噪声
机译:弱反转区域中40nm N-MOSFET的漏极电流噪声的高频特性
机译:高纳米纳米线的电流 - 电压特性和低频噪声光谱
机译:视觉运动适应探测高频和低频经颅随机噪声刺激的相反作用
机译:随机电报噪声和低频噪声特性,AlGaN / GaN HEMT的漏极电流瞬态稳定性的漏极电流瞬态稳定性分析
机译:从Lg Q的计算和高频p波的衰减看中国地壳和上地幔中Q的频率依赖性