Model; NBTI; high k/metal gate pFETs; oxide pFETs;
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:通过电源和地信号测量进行管芯至管芯校准的电路中的负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿模型
机译:考虑软氧化物击穿和负偏压温度不稳定性对读取的SNM建模
机译:氧化物和高驴pFET的负偏置温度不稳定性模型
机译:二氧化硅和基于等离子体氮化的氧化物的pMOSFET的负偏置温度不稳定性所涉及的原子尺度缺陷。
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:1基于有限氧化物厚度的负偏置温度不稳定性分析模型