L.E.E.I (Laboratoire d'Electrotechnique et d'Electronique Industrielle), 2, rue Camichel,B.P. 7122, 31071 Toulouse Cedex 7, France;
L.G.E.T. (Laboratoire de Génie Electrique de Toulouse), CNRS, Université Paul Sabatier,31062 Toulouse Cedex, France;
L.I.M.H.P (Laboratoire d’Ingénierie des Matériaux et des Hautes Pressions), Université Paris-Nord,rn93430 Villetaneuse, France;
L.I.M.H.P (Laboratoire d’Ingénierie des Matériaux et des Hautes Pressions), Université Paris-Nord,rn93430 Villetaneuse, France;
机译:CVD多晶金刚石薄膜的电子性能
机译:CVD多晶金刚石薄膜的电子性能
机译:在高功率超声种子预处理下的熔融石英光纤上生长的多晶CVD金刚石膜的光学和结构特性
机译:用金刚石含有氟和碳层的PECVD薄膜的研究与优化碳膜作为超低介电恒晶间层电介质
机译:用于超低介电常数层间电介质应用的含氟和碳的PECVD膜和类金刚石碳膜的研究。
机译:无碳化物一区硫化方法在多晶CVD金刚石上生长MoS2薄层
机译:在高功率超声种子预处理下的熔融石英光纤上生长的多晶CVD金刚石膜的光学和结构特性
机译:金刚石薄膜上碳纳米管生长的三种不同化学气相沉积(CVD)技术的比较研究。