Frontier Collaborative Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, Japan;
机译:在BEOL半微米CMOS工艺中防止等离子体诱导的薄栅极氧化物损坏
机译:等离子体对CMOS图像传感器造成损伤的新机制:分析和工艺优化
机译:CMOS工艺中低压EMCCD的老化和质子辐照损坏
机译:等离子体氮化工艺对等血浆诱导损伤对超薄(≤1.5nm)栅极电介质对等效氧化物厚度的影响
机译:深度缩放CMOS技术中制造后适应工艺变化和感应噪声的算法和方法。
机译:宽范围检测器等离子体诱导高级CMOS BEOL工艺的充电效果
机译:CMOS图像传感器中的辐射损伤:深亚微米CIS工艺带来的测试和硬化挑战
机译:测量质子引起的CmOs晶体管和pin二极管的辐射损伤。