Ostendo Technologies, Inc., Carlsbad, California;
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Ostendo Technologies, Inc., Carlsbad, California;
Ostendo Technologies, Inc., Carlsbad, California;
机译:用于形成单片光电器件的间隙(NAS)外延层的精确化学蚀刻
机译:牺牲Al_(0.8)Ga_(0.2)As蚀刻用于集成光电器件中的微结构
机译:形成高度垂直沟槽,通过电感耦合等离子体反应离子蚀刻用于垂直GaN电力装置
机译:GaN微光电器件阵列的蚀刻形成
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:沉积后刻蚀的滴滴法制备周期性聚苯乙烯纳米球阵列及其在提高InGaN / GaN LED的光提取效率中的应用
机译:光电器件:大规模“CugaO2纳米层/ ZnS微球”的溶液 - 生长策略,具有增强的UV吸附和光电性能(ADV。Funct。Matter。23/2017)