Sharp Laboratory of America, Inc. 5700 NW Pacific Rim Blvd. Camas, WA 98607;
机译:集成工艺对一个晶体管MFMPOS存储器件性能的影响
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机译:一个晶体管内存设备的集成过程和属性
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机译:由柔性塑料上的ZnO薄膜晶体管组成的纳米浮栅存储器件
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成