CNR-IMM Sezione di Bologna, via Gobetti 101, 40129 Bologna, Italy;
silicon carbide; ion implantation; annealing; p~+ junction diode;
机译:高温退火(T> 1650 c)对P型植入4H-SIC层的形态学和电性能的影响
机译:位错扩展的退火温度依赖性及其对4H-SiC PIN二极管电特性的影响
机译:退火温度对Platinum / 4H-SiC肖特基势垒二极管电性能的影响
机译:在1600℃和1650℃的Al〜+植入P〜+ / N 4H-SiC二极管的AR退火:J-V特性分析与退火温度
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:高温退火(T> 1650°C)对P型植入4H-SIC层的形态学和电性能的影响