Physics Department -University of Bologna, V.le Berti Pichat 6/II 40127 Bologna (ITALY);
cubic 3C(beta)-SiC; low pressure chemical vapor deposition (LPCVD); atomic force microscopy (AFM); surface photovoltage spectroscopy (SPS); transmission line method (TLM); specific contact resistivity (ρ_c); transfer length (Lr);
机译:恶劣环境下用于MEMS的多晶3C-SiC薄膜的电,机械和金属接触特性
机译:用于恶劣环境MEMS应用的氮掺杂多晶3C-SiC薄膜的生长和表征
机译:硼掺杂多晶半导体金刚石薄膜金属触点的电学特性
机译:多晶3C-SiC薄膜上电触头的表征
机译:通过金属诱导生长,用于纳米级触点的金属硅化物纳米线和用于太阳能电池的多晶硅薄膜。
机译:在3C-SiC(111)/ Si(111)基板上进行ZnO(002)薄膜的RF溅射退火后处理和表征
机译:具有各种掺杂浓度的多晶3C-SiC薄膜的力学性能
机译:具有ZnTe:Cu背接触的Cds / CdTe薄膜太阳能电池中的电特性Cu组分效应。会议文件。