Rohm and Haas Microelectronics, Marlborough, MA 01752;
EUV; DUV; shot noise; quantum efficiency; EUV-2D; base titration; resists;
机译:EUV图案化策略可补偿EUV散粒噪声
机译:EUV图案化策略可补偿EUV散粒噪声
机译:超高PAG EUV光致抗蚀剂的薄膜量子产率
机译:使用EUV的低LER锡羧酸盐光刻胶
机译:极紫外光致抗蚀剂:薄膜抗蚀剂的薄膜量子产率和LER。
机译:由于量子射击噪声限制了基于激光的位置和速度测量的不确定性关系
机译:薄膜量子产量的超高PAG EUV光致抗蚀剂