CEA-LETI, MINATEC, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, France;
MFA, H- 1121 Budapest, Konkoly-Thege M. ut 29-33, Hungary;
L2MP, Univ. Paul Cezanne, 13397 Marseille cedex 20, France;
ST-Microelectronics, 850 rue Jean Monnet, F-38926 Crolles Cedex, France;
机译:薄外延Ge-on-Si衬底上的NiGe中氢(H)离子簇射掺杂抑制锗锗(NiGe)的团聚和Ni的渗透
机译:通过在镍锗化过程中碳存在下增强的掺杂物偏析来降低NiGe / n-和p-Ge的比接触电阻率
机译:锗化诱导的掺杂物离析技术调制镍锗化物肖特基二极管的肖特基势垒高度
机译:对Nige纹理的掺杂剂作用在镍锗生长期间
机译:从多层反应物中选择性制备硅化镍和锗化镍。
机译:铝合金表面织构石墨烯/镍复合涂层的制备及性能
机译:Ge(001)和Ge(111)上的薄锗化镍的相形成和织构
机译:立方 - 纹理 - 镍和镍 - 200磁致伸缩环形传感器的比较。