Design of Voltage Control Oscillator for 5.2GHz in 0.35驴m SiGe BiCMOS Technology

机译：0.35驴m SiGe BiCMOS技术中5.2GHz电压控制振荡器的设计

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This paper presents the design and the exploratory measurements of a fully integrated VCO for 5.2 GHz applications. The presented circuit is implemented in 0.35 mum SiGe BiCMOS technology from TSMC. The current drawn from 2.5 V is 19mA for the VCO. It has

机译：本文介绍了针对5.2 GHz应用的完全集成VCO的设计和探索性测量。所展示的电路采用TSMC的0.35毫米SiGe BiCMOS技术实现。对于VCO，从2.5 V汲取的电流为19mA。它有

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来源
《Electron Devices and Solid- State Circuits, 2007 IEEE Conference on》|2007年|P.957-959|共3页
会议地点 TainanTaiwan
作者
Wen-Shan Chen; Hsin-Yen Hsieh; Chi-Huang Lin;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; integrated circuit design; integrated circuit measurement; microwave integrated circuits; microwave oscillators; voltage-controlled oscillators; BiCMOS technology; SiGe; TSMC; VCO design; current 19 mA; frequency 5.2 GHz; pha;

机译：BiCMOS集成电路；锗硅合金;集成电路设计；集成电路测量；微波集成电路；微波振荡器压控振荡器； BiCMOS技术；硅锗;台积电; VCO设计；电流19 mA;频率5.2 GHz; pha;

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