Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan;
IHP, Im Technologiepark 25, 15236, Frankfurt (Oder), Germany,Technische Universitaet Berlin, HFT4, Einsteinufer 25, 10587, Berlin, Germany;
机译:通过应变Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x量子阱的共振隧穿与热激活传输
机译:Si_(1-x)Ge_x表面热氮化后N原子的行为
机译:使用块状富Ge的Si_(1-x)Ge_x晶体和油浸拉曼光谱法测定富Ge的Si_(1-x)Ge_x中的声子形变势和应变位移系数
机译:通过NH_3的Si,Si_(1-x)Ge_x和Ge的原子级热氮化
机译:活性氮中硅的热氮化(薄介电体,等离子体处理,超大型材料,氮化硅,氧化硅)
机译:Fe(NO3)3辅助碳热还原-氮化从石英和石墨大规模合成Si3N4纳米带及其光致发光性能
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型