Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, 560-8531, Japan,PRESTO, Japanese Science and Technology Agency (JST), Saitama, 332-0012, Japan;
Department of Advanced Materials Science, Univ. of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:利用超薄SiO_2薄膜技术外延生长在Si(III)衬底上的Fe_3Si纳米点
机译:使用超薄SiO_2薄膜技术形成的Si衬底上的Si覆盖的GeSn纳米点的光致发光
机译:使用超高密度纳米点晶种在Si衬底上的GaSb和AlGaSb薄膜的纳米接触异质外延
机译:超薄SiO_2薄膜技术制造的纳米液种子纳米薄膜对薄膜的薄膜外延
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:直接播种超薄碳膜的生长硅基衬底
机译:用HightCandJC的混合物理化学气相沉积在Al2O3上制造超薄MGB2Films