Texas Instruments, 13570 N. Central Expressway Dallas Texas 75243;
机译:使用电感耦合等离子体源以低能量和高剂量率对多晶硅CMOS薄膜晶体管进行等离子注入氢化
机译:残余氧化应力与高能离子注入碰撞相互作用引起的漏电流机制
机译:注入能量对低剂量注入氧片分离微结构演变的影响
机译:高级CMOS低能量植入物的非接触式植入剂剂量和能量计量
机译:用于植入生物系统的低压幅度电压放大器能量收割机
机译:超低能大剂量硼注入Si(110)的化学状态和原子结构演变
机译:高能离子注入BICmOs工艺,具有兼容的EpROm结构
机译:利用高能离子注入技术开发CmOs(互补金属氧化物半导体)工艺