A.F.Ioffe Physico-Technical Institute, Politechnicheskaya 26, 1940212 St.Petersburg, Russia;
机译:高性能脊波波导多层(N = 2、5和10)InAs / InGaAs / GaAs量子点激光,范围为1.3 /μm
机译:使用InAs-InGaAs阱中点(DWELL)结构的量子阱组成对量子点激光器性能的影响
机译:使用InAs-InGaAs阱中点(DWELL)结构的量子阱组成对量子点激光器性能的影响
机译:单模高性能INAS / InGaAs / GaAs量子点激光器为1.3微米范围
机译:InGaAs量子点和量子点激光器的交替分子束外延和表征。
机译:窄脊波导高功率单模1.3μmInAs / InGaAs十层量子点激光器
机译:量子阱组成对使用Inas / InGaas点井(DWELL)结构的量子点激光器性能的影响
机译:Inas / InGaas / Inp量子点注入激光器的辐射特性。