Research Institute of Semiconductor Devices, 99a Krasnoarmeyskaya St., Tomsk, Russia, 634034;
phosphorous diffusion; transient enhanced out-diffusion; rapid thermal annealing;
机译:两步快速热退火(TS-RTA)可在不降低晶体管短沟道效应的情况下抑制掺杂剂的向外扩散
机译:碳共注入先进快速热退火后原位掺杂硼的Si_(0.75)Ge_(0.25)外延膜的硼向外扩散的局部密度扩散模型(LDD-)
机译:快速热退火过程中铟从硅中向外扩散
机译:真空快速热退火期间掺杂剂瞬态掺杂Si的离子植入Si中磷扩散的建模
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:通过热激活的Ti向外扩散过程在SrRuO3 / Cr掺杂的SrZrO3 / Pt框架中进行电阻转换模式转换
机译:天然氧化物覆盖si(001)上的瞬态增强表面扩散 真空退火过程中的纳米结构