ATR, Adaptive Communications Research Laboratories, 2-2-2 Hikaridai, Seika-cho, Soraku- gun, Kyoto 619-0288, Japan;
light-emitting diodes; lateral p-n junctions; AlGaAs compounds; high-density LED arrays;
机译:在图案化(311)A GaAs衬底上使用横向p-n结的高密度发光二极管
机译:基于横向p-n结的光电器件,其通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长而制得
机译:基于横向p-n结的光电器件,该器件通过在图案化(311)A取向的衬底上掺杂硅的GaAs进行分子束外延生长制成
机译:新颖的LED在GaAs(311)上使用独特的横向P-n结(311)图案化基板
机译:分子连接内自组装单分子层的结构表征:金属化和衬底侧向约束的影响。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:图案化GaAs(100)衬底上侧向p-n结的发光和量子效率
机译:倒置alGaas / Gaas图案化Ge隧道结级联集中器太阳能电池。最终分包合同报告,1991年1月1日 - 1992年8月31日