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Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US
Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US
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1.
Highly efficient UV-based conversion LEDs for the generation of saturated colours with improved eye safety
机译:
高效的基于紫外线的转换LED,可产生饱和色彩并提高眼睛安全性
作者:
B. Braune
;
H. Brunner
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
2.
InGaAlP Thinfilm LEDs with high luminous efficiency
机译:
具有高发光效率的InGaAlP薄膜LED
作者:
Reiner Windisch
;
Paola Altieri
;
Rainer Butendeich
;
Stefan Illek
;
Peter Stauss
;
Wilhelm Stein
;
Walter Wegleiter
;
Ralph Wirth
;
Heribert Zull
;
Klaus Streubel
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
light-emitting diodes;
thinfilm LED;
luminous efficiency;
internal efficiency;
3.
Investigation of AlGaN buffer layers on sapphire grown by MOVPE
机译:
MOVPE在蓝宝石上生长AlGaN缓冲层的研究
作者:
P. van Gemmern
;
Y. Dikme
;
N. Biyikli
;
H. Kalisch
;
E. Oezbay
;
R. H. Jansen
;
M. Heuken
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
AlGaN;
MOVPE;
sapphire;
Ⅴ/Ⅲ ratio;
Al/MO ratio;
4.
High throughput scribing for the manufacture of LED components
机译:
高通量划线,用于制造LED组件
作者:
D. Karnakis
;
E.K. Illy
;
M.R.H. Knowles
;
E. Gu
;
M.D. Dawson
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
laser scribing;
LED;
UV lasers;
micromachining;
sapphire;
gallium nitride;
5.
High performance resonant cavity light emitting diode for plastic optical fiber application
机译:
用于塑料光纤的高性能谐振腔发光二极管
作者:
Shu-Woei Chiou
;
Yea-Chen Lee
;
Yung-Chuan Yang
;
Chih-Sung Chang
;
Tzer-Peng Chen
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
6.
Si-based Rare Earth Doped Light Emitting Devices
机译:
硅基稀土掺杂发光器件
作者:
Maria Eloisa Castagna
;
Salvatore Coffa
;
Mariantonietta Monaco
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
rare earths;
SRO;
MOS;
schottky;
SCLC;
7.
Scribing of GaN wafer for white LED by water jet guided laser
机译:
喷水导向激光划刻用于白光LED的GaN晶片
作者:
T. Nilsson
;
F. Wagner
;
R. Housh
;
B. Richerzhagen
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
laser cutting;
water-jet;
scribing;
grooving;
LED;
GaN;
8.
Optimization and performance of AlGaN-based multi-quantum well deep UV LEDs
机译:
基于AlGaN的多量子阱深紫外LED的优化和性能
作者:
M. H. Crawford
;
A. A. Allerman
;
A. J. Fischer
;
K. H. A. Bogart
;
S. R. Lee
;
R. J. Kaplar
;
W. W. Chow
;
D. M. Follstaedt
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
light emitting diode;
ultraviolet;
AlGaN;
9.
Novel LEDs using unique lateral p-n junctions on GaAs (311)A patterned substrates
机译:
在GaAs(311)A图案化基板上使用独特的横向p-n结的新型LED
作者:
Nethaji Dharmarasu
;
Pablo O. Vaccaro
;
Shanmugam Saravanan
;
J.M. Zanardi Ocampo
;
Kazuyoshi Kubota
;
Nobuo Saito
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
light-emitting diodes;
lateral p-n junctions;
AlGaAs compounds;
high-density LED arrays;
10.
Optical cavity effects in InGaN/GaN quantum-well-heterostructure flip-chip light-emitting diodes
机译:
InGaN / GaN量子阱异质结构倒装芯片发光二极管中的光腔效应
作者:
Y. C. Shen
;
J. J. Wierer
;
M. R. Krames
;
M. J. Ludowise
;
M. S. Misra
;
F. Ahmed
;
A. Y. Kim
;
G. O. Mueller
;
J. C. Bhat
;
S. A. Stockman
;
P. S. Martin
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
InGaN quantum well;
cavity effects;
extraction efficiency;
internal quantum efficiency;
11.
AlGaInP light emitting diode with metal reflector structure
机译:
具有金属反射器结构的AlGaInP发光二极管
作者:
Wayne. Jan
;
Tzer Perng Chen
;
Chin Sung Chang
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
12.
Influence of Mg doping profile on the electroluminescence properties of GaInN multiple quantum well light emitting diodes
机译:
Mg掺杂分布对GaInN多量子阱发光二极管电致发光性能的影响
作者:
T. Stephan
;
K. Koehler
;
M. Maier
;
M. Kunzer
;
P. Schlotter
;
J. Wagner
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
GaInN;
light emitting diodes;
Mg diffusion;
nonradiative recombination;
13.
New material options for light-emitting diode packaging
机译:
发光二极管封装的新材料选择
作者:
Carl Zweben
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
light-emitting diodes;
packaging;
thermal management;
materials;
composites;
graphite;
carbon;
coefficient of thermal expansion;
thermal conductivity;
thermal stresses;
manufacturing;
14.
Si-based Resonant Cavity Light Emitting Devices
机译:
硅基谐振腔发光器件
作者:
Maria Eloisa Castagna
;
Salvatore Coffa
;
Anna Muscara
;
Alessandro Costa
;
Sebastiano Ravesi
;
Simona Lorenti
;
Marco Camalleri
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
resonant cavity;
SRO;
DBR;
electrical pump;
15.
Reflectivity fitting for accurate thickness and compositional determination in RCLEDs
机译:
反射率拟合可在RCLED中准确确定厚度和成分
作者:
T.E.Sale
;
K.Hild
;
T.J.C.Hosea
;
M.Hirotani
;
Y.Kato
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
RCLED;
VCSEL;
reflectivity;
least squares fitting;
16.
Recent results and latest views on microcavity LEDs
机译:
微腔LED的最新结果和最新观点
作者:
C. Weisbuch
;
A. David
;
T. Fujii
;
C. Schwach
;
S. Denbaars
;
S. Nakamura
;
M. Rattier
;
H. Benisty
;
R. Houdre
;
R. Stanley
;
J.F.Carlin
;
T.F. Krauss
;
C.J.M. Smith
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
LED;
microcavities;
photonic crystals;
GaAlInAsP;
GaN;
GalnAlN;
17.
Estimating Junction Temperature of High-Flux White LEDs
机译:
估算高通量白光LED的结温
作者:
N. Narendran
;
Y. Gu
;
R. Hosseinzadeh
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
18.
Development of solid state light sources based on Ⅱ-Ⅵ semiconductor quantum dots
机译:
基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的固态光源的开发
作者:
L. E. Shea Rohwer
;
B. L. Abrams
;
J. P. Wilcoxon
;
S. G. Thoma
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
solid state lighting;
quantum dots;
light-emitting diodes;
encapsulation;
quantum yield;
19.
Beyond the Limitations of Today's LED Packages: Optimizing High Brightness LED Performance by a Comprehensive Systems Design Approach
机译:
超越当今LED封装的局限性:通过全面的系统设计方法优化高亮度LED性能
作者:
Thomas Brukilacchio
;
Charles DeMilo
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
LED;
high brightness LED's;
nonimaging concentrator;
compound parabolic concentrator;
CPC;
20.
Analysis of nitride-based quantum well LEDs and novel white LED design
机译:
氮化物基量子阱LED的分析和新颖的白色LED设计
作者:
D. Xiao
;
K. W. Kim
;
S. M. Bedair
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
white LED;
quantum well;
nitride;
21.
Absorption in InGaN-on-sapphire LED-structures: Comparison between Photocurrent Measurement Method (PMM) and Photothermal Deflection Spectroscopy (PDS)
机译:
蓝宝石InGaN上LED结构的吸收:光电流测量方法(PMM)和光热偏转光谱(PDS)之间的比较
作者:
S.S. Schad
;
B. Neubert
;
J. Bruening
;
C. Eichler
;
F. Habel
;
F. Scholz
;
P. Unger
;
D. Hofstetter
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
InGaN;
GaN;
light-emitting diodes;
absorption;
nucleation;
buffer;
band-tail;
extraction;
22.
3D Simulation and Analysis of AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes
机译:
AlGaN / GaN紫外发光二极管的3D模拟和分析
作者:
Joachim Piprek
;
Tom Katona
;
Steven P. DenBaars
;
Simon Li
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
关键词:
ultraviolet light source;
light-emitting diode;
LED;
AlGaN/GaN quantum wells;
numerical simulation;
23.
Materials and structural design of a mid-infrared light emitting device
机译:
中红外发光装置的材料和结构设计
作者:
Fritz Weik
;
Jens W. Tomm
;
Regine Glatthaar
;
Uwe Vetter
;
Dirk Szewczyk
;
Joachim Nurnus
;
Armin Lambrecht
;
Markus Grau
;
Ralf
;
Meyer
;
Markus C. Amann
;
Bernd Spellenberg
;
Michael Bassler
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
24.
Light-emitting diodes with integrated omnidirectionally reflective contacts
机译:
集成全向反射触点的发光二极管
作者:
T. Gessmann
;
H. Luo
;
J.-Q. Xi
;
K. Streubel
;
E. F. Schubert
会议名称:
《Conference on Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing, and Applications VIII; 20040127-20040128; San Jose,CA; US》
|
2004年
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