一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成的源极，漏极和栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，在氮化镓（GaN）沟道层和氮化铝（AlN）成核层之间还设有横向p-n结复合缓冲层以抑制缓冲层内的载流子输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压与输出功率。