The University of Tokyo Japan;
机译:室温下H〜+注入的Smart Cut法制备绝缘体上InAs薄结构
机译:IGZO薄膜沉积方法和条件对复合薄膜质量,表面粗糙度,微观结构缺陷和Ti / IgZO /石墨烯/聚酰亚胺样品的电学性能的影响
机译:电阻热蒸发法制备的Fe_3Si铁磁薄膜的温度依赖性退火结构和性能
机译:热退火对智能切割法制造的内部绝缘结构薄膜质量的影响
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:溶剂蒸汽退火过程中嵌段共聚物薄膜的垂直结构形成:溶剂和厚度的影响
机译:氧气退火对脉冲激光沉积法制造的Erba2Cu3oy薄膜超导性能的影响