首页> 外文会议>Compound Semiconductor Week >Effects of thermal annealing on film quality of InAs-On-Insulator structures fabricated by Smart Cut method
【24h】

Effects of thermal annealing on film quality of InAs-On-Insulator structures fabricated by Smart Cut method

机译:热退火对Smart Cut法制备的绝缘体上InAs结构膜质量的影响

获取原文

摘要

We study the characteristics of InAs-On-Insulator (InAs-OI) substrates fabricated by the Smart Cut method, which combines wafer bonding with splitting by H
机译:我们研究了通过Smart Cut方法制造的InAs-In-Insulator(InAs-OI)衬底的特性,该方法将晶片键合与H分裂相结合

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号