...
机译:室温下H〜+注入的Smart Cut法制备绝缘体上InAs薄结构
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
Univ Tokyo, Sch Engn, Dept Elect Engn & Informat Syst, Bunkyo Ku, Tokyo 1138656, Japan;
机译:通过热注入和离子切割方法制备金刚石薄膜
机译:倒装Smart-Cut(TM)GeOI衬底上的超薄绝缘体上锗(GeOI)结构和MOSFET的特性
机译:将超薄绝缘体上InAs晶体管的性能作为主体厚度的基准
机译:热退火对Smart Cut法制备的绝缘体上InAs结构膜质量的影响
机译:一种将切割部门转换为自动组装和生命周期管理的智能对象的方法
机译:67:在体温下智能扩展生物相容性支架的制备
机译:使用可选方法的清晰林的预测林结构的可靠性:基于机载激光扫描的方法,基于智能手机的森林清查应用程序Trestima和收获前测量工具EMO
机译:用于空间操作的可展开薄膜结构的材料和制造方法