Ni誘起層交換によるグラファイト薄膜の合成と透明導電膜応用

摘要

グラフアイト薄膜はダラフェンを積層した構造を持ち、高 い電気•熱伝導度を有することから、様々なデバイスへの応用 が期待される。一方、ダラフェンは特有な二次元構造を持った め特性に異方性があり、また、粒界においてその性質が劣化す る。従って、大粒径かつ高配向したグラフアイト薄膜を形成す る必要がある。我々は金属誘起層交換法により、大粒径と高配向を両立するSiやGeを絶縁基板上に低温形成してきた[1,2]。 本研究では、絶縁基板上におけるグラフアイト薄膜の層交換合 成に成功すると共に、透明導電膜への応用を志向した。