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【24h】

c 面サファイア基板上ZnO 薄膜成長におけるV, N 共添加ZnO バッファ層導入の効果

机译:V,N共掺杂ZnO缓冲层引入对c面蓝宝石衬底上ZnO薄膜生长的影响

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摘要

ZnO 薄膜の低温成膜において、バナジウム(V)添加が面内配向性の改善に、またV と窒素(N)の共添加が面直配向性の改善に有効であることを明らかにした[1,2]。本報告では、バッファ層としてV 添加ZnO 薄膜(VZO)もしくはV、N共添加ZnO 薄膜(VZON)を導入した場合のc 面サファイア基板上ZnO 薄膜成長について検討した。
机译:可以明确的是,添加钒(V)可以有效改善面内取向,而钒和氮(N)的共添加可以有效改善低温下ZnO薄膜的面内取向[1] ,2]。在此报告中,我们研究了当引入V掺杂的ZnO薄膜(VZO)或V,N共掺杂的ZnO薄膜(VZON)作为缓冲层时,在c面蓝宝石衬底上的ZnO薄膜生长。

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