大気暴露したGaN 半導体フォトカソードの加熱処理に伴う表面状態の光電子分光観測

摘要

負性電子親和力（NEA）状態の表面を持つ半導体フォトカソードは、スピン偏極やパルス構造の電子ビームによる電子顕微鏡など産業技術として応用開発が進んでいる。特に、その半導体材料にGaN を用いた半導体フォトカソードは、GaAs 材料に比べて表面のNEA 状態を長時間維持することが明らかになっている。本研究では、従来、超高真空など良質な真空環境が不可欠とされてきた半導体フォトカソードの大気暴露とその表面の真空下での加熱処理の影響を、GaN 半導体フォトカソードについて放射光を用いたX 線光電子分光（XPS）装置により表面観測した。