Mg/Nイオン共注入と超高圧N_2活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング

摘要

選択的に任意の高キャリア濃度領域を形成可能とするイオン注入はGaNパワーデバイスにおいて重要な技術である。特にp型ドープとなるMgイオン注入は実現が難しいとされていたが、近年GaN自立基板を用いる事によってp型化の実証例が報告され始めている。しかし実用化に向けては、注入および活性化プロセス中に誘起される結晶欠陥の発生や、高い温度を必要とする活性化処理時に引き起こされるGaN表面の熱分解など、大きな技術課題が存在する。今回、結晶欠陥種同定および欠陥補償効果を目的とした Mg/N イオン共注入と、超高圧下の平衡状態維持による熱分解抑制効果を目的とした活性化処理の結果を報告する。