電解質ゲート下での導電性高分子の金属絶縁体転移近傍での伝導機構

摘要

導電性高分子の高濃度キヤリァドープ下の電気伝導は、金属転移の可能性から基礎的な興味を集めるとともに、近年では熱電素子等への応用面からも注目されている。電気伝導度の温度依存性はしばしば可変領域ホッピング(VRH)モデルσ=σ_0 exp{-(T_0/T)~α}(σ_o, T_0は定数)により解釈されてきたが、伝導の次元を表わすべき係数αが連続的に変化する挙動を示し、研究者によっても異なる結果が報告されてきた[1,2など]。今回我々は、単一試料でゲート電圧によりキャリア濃度を変調させることのできる電解質ゲート法（Fig. 1)を用い、磁気抵抗測定により導電性高分子PBTTT スピンコート膜の金属絶縁体転移近傍における電気伝導機構の変化を調べた。