化学イメージセンサを用いた細胞層創傷の経時変化観察

摘要

細胞層に形成した創傷の癒合プロセスから細胞の遊走性や増殖能の評価を行う「スクラッチアッセイ」において、通常は光学観察を用いた評価が行われている。これに対して我々は半導体化学イメージセンサを用いた電気的な評価を提案してきた[1]。この方法ではセンサ表面を覆う細胞層のインピーダンス分布を、走査光により発生する光電流の形で読み出す[2]。これにより細胞層の形態変化を非標識・非侵襲で定量的に観察することができる。従来は、細胞層を培養した多孔質メンブレンをセンサ表面に接触させることによってイメージングを行っていたが、本研究では分解能向上のためセンサ表面に細胞層を直接培養するプロトコルを開発した。