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【24h】

GaAs/GaN_(0.02)As_(0.98)/GaAs コア-マルチシェルナノワイヤの成長と評価

机译：GaAs / GaN_（0.02）As_（0.98）/ GaAs核-多壳纳米线的生长与表征

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Ⅲ-V 族化合物半導体ナノワイヤは，次世代の光・電子デバイスへの応用が期待されている．その中でも希釈窒化物半導体ナノワイヤはバンドギャップと格子定数の大きな可変性を持っており，窒素導入量の制御でその応用可能性を拡張できる．GaAs ナノワイヤに数％の窒素を導入するとバンドギャップが減少すると同時に，格子定数も小さくなることが知られており，これによって近赤外領域での発光や太陽電池で用いられる1.0 eV のバンドギャップを得ることができる．今回，窒素プラズマセルを用いて分子線エピタキシャル(MBE)成長した窒素組成2%のGaNAs 層を含むGaAs/GaNAs/GaAs コア－マルチシェルナノワイヤの成長と特性について調べた結果を報告する．

机译：III-V族化合物半导体纳米线有望应用于下一代光学和电子设备。其中，稀释的氮化物半导体纳米线在带隙和晶格常数方面具有较大的可变性，并且可以通过控制氮的引入量来扩大其适用性。已知将少量氮引入GaAs纳米线可减小带隙，同时减小晶格常数。可获得的。在这里，我们报告调查结果的结果和使用氮等离子体电池通过分子束外延（MBE）生长的含2％氮成分的GaNAs层的GaAs / GaNAs / GaAs核-多壳纳米线的生长和特性。

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来源
《応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会》|2018年|12.248|共1页
会议地点
作者
行宗詳規; 藤原亮; M. Jansson; W. M Chen; I. A Buyanova; 石川史太郎;
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作者单位

愛媛大工 f845025b@mails.cc.ehime-u.ac.jp;

愛媛大工;

Linkoeping Univ;

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