第一原理計算によるa-, m-面上の4H-SiC/SiO_2 界面モデル構造の構築

摘要

ワイドギャップ半導体のSiC は高い移動度などの優れた特性を示すことより、パワーデバイスへの応用が期待されている。これまで、図(a)に示すSi-面と呼ばれる4H-SiCの (0001)表面を用いた界面を中心に研究が行われてきたが、期待されるほどの移動度が得られないなどの問題が知られている。そこで、近年、図(b)に示した他の面方位であるa-面（11-20）やm-面（1-100）の利用が検討され、活発に実験が行われている。これらの面を用いたデバイスでは移動度がSi-面を用いたデバイスより高くなるなど、有望視されている。しかし、これまでa-面やm-面についての理論計算による解析はほとんど行われていない。そこで、第一原理計算により a-面、m-面での 4H-SiC/SiO_2界面モデル構造の作成を試みた。