IMEC B-3001 Kapeldreef 75 Heverlee Belgium;
Direct monolithic integration; Compound semiconductor on Si; Ⅲ-Ⅴ; Ge; SiGe; FinFET; Nanowires; Tunnel FETs;
机译:超越CMOS:III-V器件,RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成,以创建智能微系统
机译:5 V CMOS和高压器件的单片集成
机译:巨磁阻(GMR)器件与标准处理CMOS芯片的单片集成
机译:通过IIV,GE和SI单片集成实现的异构纳米电子设备,以扩大未来CMOS功能
机译:超越CMOS异构集成的石墨烯器件
机译:超越CMOS:III-V器件RF MEMS和其他异种材料/器件与Si CMOS的异构集成以创建智能微系统
机译:通过INP HBT和Si CMOS在硅衬底上的直接单片异构集成使能高性能混合信号电路