Division of Electrical and Electronic Engineering, School of Science and Engineering, Tokyo Metropolitan University 1-1 Minami Ohsawa, Hachioji, Tokyo, 192-0397 Japan;
hydrogen; argon; nitrogen; plasma; passivation; gallium nitride;
机译:GaN-Ga_2O_3接口处的电荷再分配:在极性GaN面上制备的远程等离子体处理MOS器件中低缺陷密度接口的微观机制
机译:CF4等离子体处理在AlGaN / GaN异质结构中引入深层缺陷的电学研究
机译:用单能正电子束研究GaN塑性变形引入的空位型缺陷
机译:血浆处理期间GaN中缺陷形成
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究(0001)GaN表面上的InGaN合金的制备
机译:低温制备GaN-SiO2具有低缺损密度的界面。 I.两步远程等离子体辅助氧化沉积过程