AZ Electronic Materials USA Corp., 70 Meister Avenue, Somerville, NJ 08876;
nanocomposite resists; plasma etch resistance; nanoparticles; oxygen plasma etch; deep reactive ion etching (DRIE);
机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:使用极低功率的电感耦合等离子体刻蚀,低电阻率接触等离子体刻蚀的掺Mg GaN
机译:气体流速对CH_2F_2 / N_2 / Ar电容耦合等离子体中具有极紫外光刻胶图案的氮化硅刻蚀特性的影响
机译:具有高等离子体蚀刻性的纳米复合材料抗蚀剂的研制
机译:高度芳族单分子蚀刻掩模的抗蚀刻性机理和发展:迈向分子光刻。
机译:增强的耐氧原子性的脂环族环氧-POSS纳米复合材料的开发
机译:具有传统电感耦合等离子体(ICP)蚀刻器的深硅蚀刻工艺的开发