首页> 中文会议>2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 >具有高雪崩耐量的三极管设计

具有高雪崩耐量的三极管设计

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

三极管的二次击穿是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线.文中论述了二次击穿的机理,然后设计了一种具有高雪崩耐量的结构.采用TCAD软件TSUPREM4和MEDICI对器件结构进行仿真设计,对流片样品的动静态参数和雪崩耐量进行测试,测试结果雪崩耐量值达到设计要求.

著录项

来源
《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|219-223|共5页
会议地点大连
作者
Zhang peng; 张鹏; Li zehong; 李泽宏; Song wenlong; 宋文龙; Zou youbiao; 邹有彪; Gu hongming; 顾鸿鸣;
展开▼
作者单位

中国半导体行业协会;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类晶体管：按性能分;
关键词
三极管; 雪崩耐量; 器件结构; 仿真设计;
入库时间 2022-08-17 10:43:46

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 双结雪崩对PiN二极管雪崩耐量的影响 [J] . 关艳霞 ,周悦 ,游佩武 . 变频技术应用 . 2013,第002期
2. 具有高转折功率耐量的过压自保护晶闸管 [J] . Y.Shimizu ,郭彩霞 . 国外电力电子技术 . 1992,第001期
3. 飞兆半导体推出1200V／15ANPT-Trench IGBT确保电磁感应加热应用具备300mJ耐雪崩性能的高稳健性 [J] . . 电子与封装 . 2006,第8期
4. VDMOS雪崩耐量参数测试技术研究 [J] . 乔文霞 ,黄伟 . 计算机与数字工程 . 2021,第004期
5. 600V 4H-SiC p+槽VDMOS雪崩耐量的仿真分析 [J] . 高秀秀 ,李诚瞻 ,齐放 . 电子技术与软件工程 . 2021,第009期
6. 功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量测试仿真对比 [C] . 屈静 ,吴郁 ,胡冬青 . 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 . 2014
7. 600V高雪崩耐量平面栅VDMOS器件优化设计 [A] . 程诗康 . 2017

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号