Advanced Process Dept.2, RD Division, San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Ichon-si, Kyungki-do, 467-701, Korea;
机译:新型ArF光致抗蚀剂聚合物,可抑制等离子蚀刻过程中形成粗糙度
机译:聚合物主链结构对等离子刻蚀过程中ArF光致抗蚀剂粗糙度形成的影响
机译:聚合物侧链结构对等离子刻蚀过程中ArF光致抗蚀剂粗糙度形成的影响
机译:ARF光致抗蚀剂粉末形成的抑制方法
机译:ARF的双重性:以细胞可塑性和再生能力为代价的增强的肿瘤抑制。
机译:使用无意义抑制研究tRNA生物发生的3末端形成和其他方面的方法综述
机译:通过P19ARF的Ras介导的NIH3T3转化的抑制不涉及细胞生长性能的改变
机译:传感器瞬态抑制方法。 II。实验。 (重新公布新的可用性信息)