Electronic Materials Division 3, DongJin Semichem Co., Ltd., 625-3, Yodang-Ri, Yanggam-Myun, Hwasung-Si, Kyungki-Do, Korea, 445-930;
ArF photoresist; sensitivity; photo acid generator;
机译:ArF抵抗成分和工艺条件对PEB灵敏度的影响
机译:光致抗蚀剂的电沉积:优化沉积条件,光刻工艺和耐化学性的研究
机译:光致抗蚀剂的电沉积:优化沉积条件,光刻工艺和耐化学性的研究
机译:将光致抗蚀剂溶解成CO_2相容盐和CO_2溶液:处理条件的研究
机译:研究p53-mdm2-ARF信号回路:p53抑癌蛋白抑制ARF,ARF的癌基因激活以及活细胞中p53活性的检测
机译:机械磨损的水溶性剥离抗蚀剂和裸基板的无光致抗蚀剂图案化:朝向透明电极的绿色制备
机译:XTC光刻工艺ARF光刻胶的设计与开发