机译:XTC光刻工艺的ArF光刻胶的设计与开发
机译:基于ArF激光光刻的90nm临界尺寸的光刻胶厚度的优化设计
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机译:用于ArF光刻的负性显影光刻胶的演变
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:植入层ARF光致抗蚀剂的设计与开发
机译:聚合物膜厚度和腔体尺寸对压花过程中聚合物流动的影响:纳米压印光刻的工艺设计规则