ULSI Process Technology Development Center, Corporate Manufacturing Development Division, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Japan;
immersion; 193-nm; 157-nm; resist; water; PFPE; acetal; COMA; hydrolysis; PAG;
机译:化学放大的抗蚀剂聚合物在248、193和157 nm光刻中的溶解行为
机译:化学放大的抗蚀剂聚合物在248、193和157 nm光刻中的溶解行为
机译:适用于193和157 nm光刻应用的低碱性污染底部抗反射涂层
机译:朝32-nm节点193-nm浸没式光刻工艺双图案化的材料和工艺的开发
机译:纳米压印光刻胶的抗蚀剂和压印的孔膜的物理化学表面相互作用。
机译:溶剂浸渍压印光刻:高性能半自动程序
机译:含氟聚合物抗蚀剂的表征为157-nm光刻
机译:扫描探针光刻。 1.扫描隧道显微镜诱导的自组装正烷硫醇单层抗蚀剂的光刻。